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2010 | 구리 무전해 도금을 위한 은 시드층의 형성방법

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작성자 관리자 /   작성일2016-08-24 /   조회424회

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특허명 : <구리 무전해 도금을 위한 은 시드층의 형성방법> (Method of Preparing Ag Seed Layer for copper electroless ow Resistance Metal Line)

등록번호(날짜) : 1015071550000 (2015.03.24)

출원국가 : 대한민국
발명자 : 송기용/ 정찬화

초록 : 발명은 구리 무전해 도금을 위한 은 시드층의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자리조립단분자막이
형성된 기판의 상부에 구리 무전해 도금을 위한 은 시드층을 무전해 도금법으로 형성하는 방법으로 본 발명의 은
시드층의 형성방법에 의하면 구리층과 유리 기판과의 점착력(adhesion)이 향상된다.

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