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2000 | 무전해도금방식을 이용한 반도체 소자의 구리배선형성방법

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작성자 관리자 /   작성일2015-08-19 /   조회801회

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특허명 : <무전해도금방식을 이용한 반도체 소자의 구리배선형성방법> (Method for forming Cu interconnection of semiconductordevice using electroless plating)

등록번호(날짜) : 1004349460000 (2004-05-28)

출원국가 : 대한민국
발명자 : 정찬화/조성민/오윤진

초록 : 무전해도금방식을 이용한 반도체 소자의 구리배선 형성방법에 대해 개시한다. 본 발명의 무전해도금방식을 이용한 반도체 소자의 구리배선 형성방법은, 오염원 제거 및 구리의 균일증착을 위해 세정공정을 진행하는 제1 단계; 상기 구리가 증착되는 영역에서 자발적인 촉매 활성화 경향을 뛰도록 금속촉매로 전처리함과 동시에 공정온도를 변화시켜 웨이퍼 표면과 배선이 형성될 영역에서 서로 다른 결합력과 크기를 갖는 금속촉매 전처리용액으로 촉매입자를 성장시키는 제2 단계; 상기 웨이퍼 표면에서 금속촉매를 제거하기 위해 세정하는 제3 단계; 및 상기 제3 단계의 결과물에 구리 무전해도금 용액에 의해 금속촉매가 형성된 영역에서 구리를 성장시키는 제4 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 진공장비를 이용한 전처리공정을 습식공정으로 대체함으로써 공정이 비교적 간단하고 공정비용이 상당히 절감되는 효과를 기대할 수 있다. 또한, 배선 내에만 선택적으로 구리를 성장시킴으로서 후속공정인 웨이퍼 평탄화공정을 생략할 수 있는 효과를 가지고 있다. 그리고, 기존에 제시되어왔던 자외선 사진공정(Ultra-violet radiation photo-process)을 이용한 선택적인 구리성장방법들과 비교해서도 공정이 단순하다는 장점을 가지고 있다.

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